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Gen3圭臬!派恩杰碳化硅三极管“正面刚”竞品

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  派恩杰半导体(杭州)有限公司(以下简称“派恩杰”)是第三代半导体功率器件设计销售企业(Fabless模式)。

  派恩杰持续专注于碳化硅和氮化镓的器件设计研发与产品销售,实现国有品牌替代和自主产品创新。产品有碳化硅三极管,碳化硅二极管,氮化镓三极管等。广泛应用于新能源汽车、服务器及数据中心电源、智能电网、5G物联网、工业电机、逆变器等场景和领域。

  派恩杰成立仅6个月时完成第一款可兼容驱动650V氮化镓功率器件。2019年8月完成Gen3技术的1200V碳化硅MOS产品,填补国内空白。

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  1200V80mΩ SiC MOSFET(P3M12080K3)属于N-Channel 增强型器件,基于Gen3技术,具有更高阻断电压和更低的导通电阻,可提升系统效率,提升功率密度,具有高开关频率,Specific Rdson(导通电阻X芯片面积)低于3mΩ∙c㎡,6寸晶圆的良率在90%以上。同时产品阈值电压大于3V,优于国内外竞品。

  国有品牌替代,研发摊销仅国外同类产品十分之一;6英寸Gen3技术,生产成本不足国产品牌的三分之一;产品交期缩短,交货周期从28-32周缩短为8-10周,竞争优势明显。

  国内厂商一般采用4寸晶圆和Gen1或Gen2技术,其Specific Rdson大于5mΩ∙c㎡ ,我司采用6寸晶圆并采用自对准技术,在减少光刻次数的同时降低比导通电阻,使器件比导通电阻达到Gen3的标准,可与国外同类型产品竞争。

本站文章于2019-11-25 23:13,互联网采集,如有侵权请发邮件联系我们,我们在第一时间删除。 转载请注明:Gen3圭臬!派恩杰碳化硅三极管“正面刚”竞品 三极管

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